Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
1

Analysis of the Sensing Margin of Silicon and Poly-Si 1T-DRAM

Рік:
2020
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.01 MB
english, 2020
4

Memristor Neural Network Training with Clock Synchronous Neuromorphic System

Рік:
2019
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.84 MB
english, 2019
5

Optimization of uniaxial stress for high electron mobility on biaxially-strained n-MOSFETs

Рік:
2014
Мова:
english
Файл:
PDF, 786 KB
english, 2014
10

Influence of trench-oxide depth on junction-size dependence of -particle-induced charge collection

Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 378 KB
english, 2000
19

A new bias scheme for a low power consumption ReRAM crossbar array

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.98 MB
english, 2016
20

New modeling method for the dielectric relaxation of a DRAM cell capacitor

Рік:
2017
Мова:
english
Файл:
PDF, 247 KB
english, 2017
21

Read margin analysis of crossbar arrays using the cell-variability-aware simulation method

Рік:
2017
Мова:
english
Файл:
PDF, 489 KB
english, 2017
29

Three-Dimensional (3D) Vertical Resistive Random-Access Memory (VRRAM) Synapses for Neural Network Systems

Рік:
2019
Мова:
english
Файл:
PDF, 4.55 MB
english, 2019